图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 MJL(0281,0302)A |
| 文档 |
Multiple Devices 02/Jan/2007 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 产品更改通知 | Product Discontinuation 02/Jan/2007 |
| 标准包装 | 25 |
| 晶体管类型 | NPN |
| - 集电极电流（Ic）（最大） | 15A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 260V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 1V @ 500mA, 5A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 75 @ 3A, 5V |
| 功率 - 最大 | 180W |
| 频率转换 | 30MHz |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-264-3, TO-264AA |
| 供应商器件封装 | TO-264 |
| 包装材料 | Tube |
| 产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 配置 | Single |
| 晶体管极性 | NPN |
| 集电极 - 基极电压VCBO | 260 V |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 260 V |
| 发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
| 集电极最大直流电流 | 15 A |
| 增益带宽产品fT | 30 MHz |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 75 |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/外壳 | TO-264-3 (TO-3BPL) |
| 最大功率耗散 | 180000 mW |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 封装 | Rail |
| 寿命 | Obsolete |
| 集电极最大直流电流 | 15 |
| 最小直流电流增益 | 75@0.5A@5V|75@1A@5V|75@3A@5V |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 150 |
| 最低工作温度 | -65 |
| 最大功率耗散 | 180000 |
| 最大基地发射极电压 | 5 |
| Maximum Transition Frequency | 30(Min) |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 260 |
| 供应商封装形式 | TO-3BPL |
| 最大集电极发射极电压 | 260 |
| 类型 | NPN |
| 引脚数 | 3 |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 15A |
| 晶体管类型 | NPN |
| 安装类型 | Through Hole |
| 频率 - 转换 | 30MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 1V @ 500mA, 5A |
| 标准包装 | 25 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 260V |
| 供应商设备封装 | TO-264 |
| 功率 - 最大 | 180W |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 75 @ 3A, 5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 频率 - 跃迁 | 30MHz |
| 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） | 1V @ 500mA, 5A |
| 晶体管类型 | NPN |
| 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 75 @ 3A, 5V |
| 封装/外壳 | TO-264-3, TO-264AA |
| 功率 - 最大值 | 180W |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 15A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 260V |
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